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1N4247GP


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 160°C
die 1N4247GP ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N4247GP
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AL
1N4247GP Datenblatt (jpg):verfügbar
1N4247GP Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BY126, [mehr]
BY126,BY127,BY134,1N4005,1N4006
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1N4247GP


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
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TJ 160°C
die 1N4247GP ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N4247GP
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
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1N4247GP


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 160°C
die 1N4247GP ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BY126


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
UR 650V
IF 1.2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY126 ist eine Silizium Diode, U = 650V, I = 1.2A, Anwend: Netzgleichrichter
Photo: -
Quelle: PSC Pocketbook 1969
Ähnlicher Typ: BY126
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: RD12
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BY126


SI Diode
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UR 650V
IF 1.2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY126 ist eine Silizium Diode, U = 650V, I = 1.2A, Anwend: Netzgleichrichter
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Quelle: PSC Pocketbook 1969
Ähnlicher Typ: BY126
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Philips Semiconductors
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BY126


SI Diode
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UR 650V
IF 1.2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY126 ist eine Silizium Diode, U = 650V, I = 1.2A, Anwend: Netzgleichrichter
Photo: -
Quelle: PSC Pocketbook 1969
Ähnlicher Typ: BY126
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Philips Semiconductors
Gehäuse: RD12
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BY127


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 800mA
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY127 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 800mA, Anwend: Universaltyp, Leistungsdiode
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch Halblei...... [mehr]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden und Transistoren Standardtypen 1969/70
Ähnlicher Typ: BY127
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: SOD18
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BY127


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 800mA
- -
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TJ 150°C
die BY127 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 800mA, Anwend: Universaltyp, Leistungsdiode
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Quelle: Va Valvo Handbuch Halblei...... [mehr]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden und Transistoren Standardtypen 1969/70
Ähnlicher Typ: BY127
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: SOD18
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BY127


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 800mA
- -
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- -
TJ 150°C
die BY127 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 800mA, Anwend: Universaltyp, Leistungsdiode
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch Halblei...... [mehr]
Va Valvo Handbuch Halbleiterdioden und Transistoren Standardtypen 1969/70
Ähnlicher Typ: BY127
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: SOD18
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BY134


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY134 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Jn Intermetall Di/Z/Gl/Th...... [mehr]
Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY134
OEM:Intermetall... [mehr]
Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
Gehäuse: 56A2
BY134 Datenblatt (jpg):verfügbar
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BY134


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
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TJ 150°C
die BY134 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Jn Intermetall Di/Z/Gl/Th...... [mehr]
Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY134
OEM:Intermetall... [mehr]
Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
Gehäuse: 56A2
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BY134


SI Diode
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GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY134 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Jn Intermetall Di/Z/Gl/Th...... [mehr]
Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY134
OEM:Intermetall... [mehr]
Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
Gehäuse: 56A2
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1N4005


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
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- -
die 1N4005 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: 1N4005
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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1N4005


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
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die 1N4005 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: 1N4005
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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1N4005


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
- -
die 1N4005 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: 1N4005
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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1N4006


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 1A
- -
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- -
die 1N4006 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1A
Photo: verfügbar
Bestellen:
1N4006 0,05€ / 1
Ähnlicher Typ: 1N4006
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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1N4006


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 1A
- -
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die 1N4006 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1A
Photo: verfügbar
Bestellen:
1N4006 0,05€ / 1
Ähnlicher Typ: 1N4006
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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1N4006


SI Diode
similar to 1N4247GP, see note
GFX
UR 800V
IF 1A
- -
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die 1N4006 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1A
Photo: verfügbar
Bestellen:
1N4006 0,05€ / 1
Ähnlicher Typ: 1N4006
OEM:ITT Semicond... [mehr]
ITT Semiconductors
Gehäuse: DO-41
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp